مشخصات
سرعت نوشتن اطلاعات به صورت تصادفی: | حداکثر تا 220.000 IOPS |
---|---|
سرعت خواندن اطلاعات به صورت تصادفی: | حداکثر تا 120.000 IOPS |
نوع رابط حافظه: | M.2 NVMe |
ظرفیت: | 512 گیگابایت |
حداکثر میزان مقاومت در برابر شوک: | 1500G |
نوع حافظه فلش: | 3D NAND |
قابلیتهای حافظه: | پشتیبانی از TRIM |
سرعت نوشتن اطلاعات به صورت ترتیبی: | حداکثر تا 1000 مگابایت بر ثانیه |
سرعت خواندن اطلاعات به صورت ترتیبی: | حداکثر تا 1700 مگابایت بر ثانیه |
قابلیتهای مقاومتی: | مقاوم در برابر شوک |
رابطها: | PCI Express 3.0 |